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STD95N04
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET STripFET MOSFET
规格参数
- 类型参数全选
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
晶体管元件材料
SILICON
110W Tc
40 ns
1
10V
80A Tc
系列
STripFET™
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
40V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
80A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STD95
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
110W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.5m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2200pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
54nC @ 10V
上升时间
50ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
80A
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0065Ohm
漏源击穿电压
40V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
320A
雪崩能量等级(Eas)
400 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STD95N04
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
80 A
80A (Tc)
20 V
110 W
110W (Tc)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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17A (Ta), 94A (Tc)
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80W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
86 A
86A (Tc)
20 V
79 W
79W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
STD95N04 PDF数据手册
- 数据表 :