STD75N3LLH6
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
75A Tc
4.5V 10V
1
60W Tc
37 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
基本部件号
STD75N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
60W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.5m Ω @ 37.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1690pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 4.5V
上升时间
30ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
12 ns
连续放电电流(ID)
75A
阈值电压
1.7V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.008Ohm
高度
2.4mm
长度
6.6mm
宽度
6.2mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
STD75N3LLH6
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
30V
75 A
75A (Tc)
20 V
60 W
60W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
80 A
80A (Tc)
20 V
110 W
110W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
90 A
50A (Tc)
16 V
65 W
65W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
80 A
80A (Tc)
22 V
70 W
70W (Tc)
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
85 A
12A (Ta), 85A (Tc)
20 V
2.4 W
1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
STD75N3LLH6 PDF数据手册
- 数据表 :