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STD60N55F3
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
80A Tc
10V
1
110W Tc
35 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ III
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
8.5MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
基本部件号
STD60N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
110W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.5m Ω @ 32A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2200pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45nC @ 10V
上升时间
50ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
11.5 ns
连续放电电流(ID)
80A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
55V
高度
2.4mm
长度
6.6mm
宽度
6.2mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxOperating Temperature
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STD60N55F3
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
80 A
80A (Tc)
20 V
110 W
110W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
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Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
32 A
80A (Tc)
20 V
110 W
110W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
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Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
80 A
80A (Tc)
20 V
110 W
110W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
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STD60N55F3 PDF数据手册
- 数据表 :