STD100N10F7
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin DPAK STMicroelectronics STD100N10F7
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
80A Tc
10V
1
120W Tc
46 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VII
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
8MOhm
HTS代码
8541.29.00.95
终端形式
THROUGH-HOLE
基本部件号
STD10
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
120W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
27 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4369pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
61nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
80A
阈值电压
4.5V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
雪崩能量等级(Eas)
400 mJ
高度
2.4mm
长度
6.6mm
宽度
6.2mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STD100N10F7
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
80 A
80A (Tc)
4.5 V
20 V
120 W
120W (Tc)
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Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
60 A
60A (Tc)
-
20 V
125 W
125W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
4.3 A
4.3A (Tc)
4 V
20 V
25 W
2.5W (Ta), 25W (Tc)
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DPAK
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STD100N10F7 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :