
STB8NA50
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8A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Yes
Obsolete
STMICROELECTRONICS
D2PAK
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
8 A
1
150 °C
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
SMALL OUTLINE
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
MATTE TIN
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻
0.85 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
32 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
350 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W