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STB8NA50

型号:

STB8NA50

封装:

-

描述:

8A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Yes

  • Obsolete

  • STMICROELECTRONICS

  • D2PAK

  • SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • 8 A

  • 1

  • 150 °C

  • PLASTIC/EPOXY

  • RECTANGULAR

  • SMALL OUTLINE

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    Yes

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    MATTE TIN

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    GULL WING

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-263AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.85 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    32 A

  • DS 击穿电压-最小值

    500 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    350 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    125 W

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  • 数据表 :