STB60NF06T4
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
60A Tc
10V
1
110W Tc
43 ns
操作温度
-65°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
16mOhm
电压 - 额定直流
60V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
245
额定电流
60A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STB60N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
110W
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
16m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1810pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
66nC @ 10V
上升时间
108ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
20 ns
连续放电电流(ID)
60A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
240A
双电源电压
60V
栅源电压
3 V
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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