STB200NF04T4
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
120A Tc
10V
1
310W Tc
140 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
STripFET™ II
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
3.7MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电压 - 额定直流
40V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
245
额定电流
120A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STB200N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
310W
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.7m Ω @ 90A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5100pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
210nC @ 10V
上升时间
320ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
120 ns
连续放电电流(ID)
120A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
480A
高度
4.6mm
长度
10.4mm
宽度
9.35mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxOperating Temperature
STB200NF04T4
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
20 V
310 W
310W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
120 A
120A (Tc)
20 V
300 W
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
190 A
180A (Tc)
20 V
200 W
200W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
150 A
150A (Tc)
20 V
140 W
140W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
STB200NF04T4 PDF数据手册
- 数据表 :