STB16NF06LT4
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
16A Tc
5V 10V
1
45W Tc
20 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
90MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电压 - 额定直流
60V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
245
额定电流
16A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STB16N
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
45W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
90m Ω @ 8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA (Min)
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
345pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 4.5V
上升时间
37ns
Vgs（最大值）
±16V
下降时间（典型值）
12.5 ns
连续放电电流(ID)
16A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
64A
双电源电压
60V
栅源电压
4 V
高度
4.6mm
长度
10.75mm
宽度
10.4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STB16NF06LT4
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
16 A
16A (Tc)
16 V
45 W
45W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
15 A
15A (Tc)
20 V
48.4 W
48.4W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
15 A
15A (Tc)
20 V
48.4 W
48.4W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
18 A
18A (Tc)
16 V
45 W
3.8W (Ta), 45W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
17 A
17A (Tc)
20 V
3.8 W
3.8W (Ta), 45W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
STB16NF06LT4 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :