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STB100NF03L-03T4
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-Ch 30 Volt 100 Amp
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
100A Tc
4.5V 10V
1
300W Tc
115 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ III
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
3.2MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
电压 - 额定直流
30V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
额定电流
100A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STB100N
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
300W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
35 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.2m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6200pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
88nC @ 5V
上升时间
315ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
95 ns
连续放电电流(ID)
100A
阈值电压
1.7V
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
栅源电压
1.7 V
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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100A (Tc)
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16 V
300 W
300W (Tc)
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
80 A
80A (Tc)
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20 V
300 W
300W (Tc)
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
80 A
120A (Tc)
2 V
20 V
300 W
300W (Tc)
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
60 A
120A (Tc)
4 V
20 V
300 W
300W (Tc)
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Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
116 A
116A (Tc)
3 V
16 V
170 W
3.8W (Ta), 180W (Tc)
STB100NF03L-03T4 PDF数据手册
- 数据表 :