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M29W800DB70ZE6E

型号:

M29W800DB70ZE6E

封装:

-

描述:

512KX16 FLASH 3V PROM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    48

  • 3 V

  • TFBGA

  • RECTANGULAR

  • Numonyx Memory Solutions

  • Transferred

  • NUMONYX

  • BGA

  • 5.1

  • 524288 words

  • M29W800DB70ZE6E

  • Yes

  • 85 °C

  • 70 ns

  • NOT SPECIFIED

  • -40 °C

  • BGA48,6X8,32

  • PLASTIC/EPOXY

  • 512000

  • GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-48

  • JESD-609代码

    e1

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    NOR TYPE

  • 附加功能

    BOTTOM BOOT BLOCK

  • HTS代码

    8542.32.00.51

  • 子类别

    Flash Memories

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    48

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B48

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6 V

  • 电源

    3/3.3 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.7 V

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.02 mA

  • 组织结构

    512KX16

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    16

  • 待机电流-最大值

    0.0001 A

  • 记忆密度

    8388608 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    FLASH

  • 编程电压

    3 V

  • 备用内存宽度

    8

  • 数据轮询

    YES

  • 拨动位

    YES

  • 命令用户界面

    YES

  • 扇区/尺寸数

    1,2,1,15

  • 行业规模

    16K,8K,32K,64K

  • 准备就绪/忙碌

    YES

  • 引导模块

    BOTTOM

  • 通用闪存接口

    YES

  • 长度

    8 mm

  • 宽度

    6 mm

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  • 数据表 :