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HCF40107BM1

型号:

HCF40107BM1

封装:

-

描述:

NAND Buffer/Driver Gate 2-Element 2-IN CMOS 8-Pin SOP Tube

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • EAR99

  • 4000B

  • 2

  • 2-IN

  • 0

  • 0

  • 1

  • 100@15V|200@5V|120@10V

  • 200

  • CMOS

  • 38(Min)

  • 3

  • 18|9|5|12|15|3.3

  • 20

  • 0.04

  • 100

  • 50

  • -55

  • 125

  • SOP

  • SOP

  • Surface Mount

  • 1.65(Max)

  • 5(Max)

  • 4(Max)

  • 8

  • Gull-wing

  • SOP-8

  • SMALL OUTLINE

  • 1

  • 50 pF

  • PLASTIC/EPOXY

  • SOP8,.25

  • -55 °C

  • 30

  • 125 °C

  • Yes

  • HCF40107BM1

  • 5 V

  • SOP

  • RECTANGULAR

  • STMicroelectronics

  • Obsolete

  • STMICROELECTRONICS

  • 8.3

  • SOIC

  • 200 ns

  • 包装

    Tube

  • JESD-609代码

    e4

  • 零件状态

    Obsolete

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • HTS代码

    8542.39.00.01

  • 子类别

    Gates

  • 包装方式

    TUBE

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    2

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 输出类型

    Open Drain

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    20 V

  • 电源

    5/15 V

  • 温度等级

    MILITARY

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3 V

  • 家人

    4000/14000/40000

  • 逻辑功能

    NAND Buffer/Driver

  • 输入数量

    2

  • 输出特性

    OPEN-DRAIN

  • 座位高度-最大

    1.75 mm

  • 逻辑IC类型

    NAND GATE

  • 传播延迟(tpd)

    200 ns

  • 施密特触发器

    NO

  • 宽度

    3.9 mm

  • 长度

    4.9 mm

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

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