
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Active
1.51
2.9 V
VISHAY SEMICONDUCTORS
Active
1
Vishay Semiconductors
ELLIPTICAL
BYT62-TAP
175 °C
NOT SPECIFIED
GLASS
1
LONG FORM
E-LALF-W2
系列
*
JESD-609代码
e2
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver (Sn/Ag)
HTS代码
8541.10.00.70
子类别
Rectifier Diodes
技术
AVALANCHE
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
E-LALF-W2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
二极管类型
RECTIFIER DIODE
箱体转运
ISOLATED
输出电流-最大值
0.35 A
Rep Pk反向电压-最大值
2400 V
最大非代表Pk前进电流
10 A
反向恢复时间-最大值
5 µs