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5962F8754901VXA

型号:

5962F8754901VXA

封装:

-

描述:

NAND Gate 4-Element 2-IN CMOS 14-Pin CFPAK

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    30 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    14

  • 终端数量

    14

  • EAR99

  • 8542.39.00.01

  • AC

  • 4

  • 2-IN

  • 0

  • 0

  • 1

  • 8.5@4.5V|11@3V

  • 11

  • CMOS

  • 50

  • -50

  • 2

  • 5|2.5|3.3

  • 6

  • 50

  • 50

  • -55

  • 125

  • Military

  • FPAK

  • CFPAK

  • Surface Mount

  • 1.95(Max) + 0.38

  • 9.95

  • 6.91

  • 14

  • Flat

  • Compliant

  • CERAMIC, DFP-14

  • FLATPACK

  • 50 pF

  • CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • FL14,.3

  • -55 °C

  • 125 °C

  • Yes

  • 5962F8754901VXA

  • 3 V

  • DFP

  • RECTANGULAR

  • STMicroelectronics

  • Active

  • STMICROELECTRONICS

  • 5.25

  • DFP

  • 11 ns

  • Military grade

  • JESD-609代码

    e0

  • 零件状态

    Active

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 最高工作温度

    125 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • HTS代码

    8542.39.00.01

  • 子类别

    Gate

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 功能数量

    4

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    14

  • JESD-30代码

    R-CDFP-F14

  • 资历状况

    Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    6 V

  • 电源

    3.3/5 V

  • 温度等级

    MILITARY

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2 V

  • 最大电源电压

    6 V

  • 最小电源电压

    2 V

  • 静态电流

    50 µA

  • 家人

    AC

  • 逻辑功能

    NAND

  • 输入数量

    2

  • 逻辑IC类型

    NAND GATE

  • 最大 I(ol)

    0.012 A

  • 筛选水平

    MIL-PRF-38535 Class V

  • 传播延迟(tpd)

    11.9 ns

  • 施密特触发器

    NO

  • 总剂量

    300k Rad(Si) V

  • RoHS状态

    Supplier Unconfirmed

  • 辐射硬化

    Yes

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