
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247-3
Tube
WNSC2
厂商
WeEn Semiconductors
Active
20A
系列
-
技术
SiC (Silicon Carbide) Schottky
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
反向泄漏电流@ Vr
110 µA @ 1200 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.65 V @ 10 A
工作温度 - 结点
175°C
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
1200 V
二极管配置
1 Pair Common Cathode
反向恢复时间(trr)
0 ns