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SI8275GB-IM1

型号:

SI8275GB-IM1

封装:

14-VDFN

描述:

4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 包装/外壳

    14-VDFN

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 供应商器件包装

    14-QFN (5x5)

  • 厂商

    Skyworks Solutions Inc.

  • Tube

  • Active

  • SI8275

  • QFN

  • Half Bridge

  • Independent

  • Yes

  • 75 ns

  • AEC-Q100

  • 1.2 W

  • + 125 C

  • 5.5 V

  • 0.892167 oz

  • - 40 C

  • 490

  • 2.5 V

  • SMD/SMT

  • Skyworks

  • Skyworks Solutions, Inc.

  • 2.7 Ohms

  • Details

  • 系列

    Si827x

  • 操作温度

    -40°C ~ 125°C

  • 包装

    Tray

  • 类型

    Half-Bridge

  • 子类别

    PMIC - Power Management ICs

  • 电源电压

    5.5 V, 30V

  • 引脚数量

    14

  • 输出的数量

    1

  • 审批机构

    CQC, CSA, UL, VDE

  • 电压-隔离度

    2500Vrms

  • 输出电压

    4.2 V to 30 V

  • 极性

    Inverting

  • 通道数量

    2

  • 工作电源电流

    8 mA

  • 输出电流

    1.8 A, 4 A

  • 电压 - 正向 (Vf) (类型)

    -

  • 拓扑

    Isolated Gate Driver

  • 高/低输出电流

    1.8A, 4A

  • 逻辑类型

    TTL

  • 上升时间

    16ns

  • 产品类别

    Gate Drivers

  • 上升/下降时间(Typ)

    10.5ns, 13.3ns

  • 驱动器数量

    2

  • 传播延迟(最大延迟差)

    60ns, 60ns

  • 共模瞬态抗扰度(最小)

    150kV/μs

  • 脉宽失真(最大值)

    8ns

  • 电压 - 输出电源

    4.2V ~ 30V

  • 峰值输出电流

    4A

  • 产品

    Isolated Gate Drivers

  • 关机

    Shutdown

  • 产品类别

    Gate Drivers

  • 时间延迟

    60ns

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