![S82S141F883C](https://res.utmel.com/Images/category/Memory Cards, Modules.png)
S82S141F883C
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Description: Memory Circuit, 512X8, Bipolar, CDIP24, CERAMIC, DIP-24
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
24
No
Obsolete
SIGNETICS CORP
CERAMIC, DIP-24
90 ns
512 words
512
125 °C
-55 °C
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
DIP
DIP24,.6
RECTANGULAR
IN-LINE
5 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-CDIP-T24
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.185 mA
组织结构
512X8
内存宽度
8
记忆密度
4096 bit
筛选水平
MIL-STD-883
内存IC类型
MEMORY CIRCUIT
S82S141F883C PDF数据手册
- 数据表 :