![N82HS641N](https://res.utmel.com/Images/category/Memory Cards, Modules.png)
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
24
No
Obsolete
SIGNETICS CORP
DIP, DIP24,.6
55 ns
8192 words
8000
75 °C
PLASTIC/EPOXY
DIP
DIP24,.6
RECTANGULAR
IN-LINE
5 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN LEAD
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDIP-T24
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
5.25 V
温度等级
COMMERCIAL EXTENDED
电源电压-最小值(Vsup)
4.75 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.175 mA
组织结构
8KX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
记忆密度
65536 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
OTP ROM