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BUZ102SLE3045A

型号:

BUZ102SLE3045A

品牌:

Siemens

封装:

-

描述:

Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,...

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 材料

    Aluminum

  • 形状

    Square, Fins

  • 包装冷却

    Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)

  • 材料处理

    Blue Anodized

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • PLASTIC, TO-263, 3 PIN

  • SMALL OUTLINE

  • NOT SPECIFIED

  • PLASTIC/EPOXY

  • NOT SPECIFIED

  • No

  • BUZ102SLE3045A

  • RECTANGULAR

  • Rochester Electronics LLC

  • 1

  • Active

  • ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • 5.29

  • D2PAK

  • 47 A

  • 系列

    pushPIN™

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    No

  • 零件状态

    Active

  • 类型

    Top Mount

  • 端子表面处理

    TIN LEAD

  • 附加功能

    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 附着方法

    Push Pin

  • 离底高度(鳍的高度)

    0.590 (15.00mm)

  • 强制空气流动时的热阻

    17.86°C/W @ 100 LFM

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-263AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.024 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    188 A

  • DS 击穿电压-最小值

    55 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    245 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 自然环境下的热阻

    --

  • 温度上升时的耗散功率

    --

  • 宽度

    1.378 (35.00mm)

  • 长度

    1.378 (35.00mm)

  • 直径

    --

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