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BUZ102SLE3045A
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Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,...
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
材料
Aluminum
形状
Square, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
Blue Anodized
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
PLASTIC, TO-263, 3 PIN
SMALL OUTLINE
NOT SPECIFIED
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
No
BUZ102SLE3045A
RECTANGULAR
Rochester Electronics LLC
1
Active
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
5.29
D2PAK
47 A
系列
pushPIN™
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
零件状态
Active
类型
Top Mount
端子表面处理
TIN LEAD
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
附着方法
Push Pin
离底高度(鳍的高度)
0.590 (15.00mm)
强制空气流动时的热阻
17.86°C/W @ 100 LFM
操作模式
ENHANCEMENT MODE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻
0.024 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
188 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
245 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
自然环境下的热阻
--
温度上升时的耗散功率
--
宽度
1.378 (35.00mm)
长度
1.378 (35.00mm)
直径
--