![BSM181F](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
BSM181F
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Description: Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Obsolete
SIEMENS A G
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
34 A
1
150 °C
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PUFM-X4
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.32 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
136 A
DS 击穿电压-最小值
800 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
700 W
反馈上限-最大值 (Crss)
800 pF
环境耗散-最大值
700 W
BSM181F PDF数据手册
- 数据表 :