你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

BSM150GAL120DN2E3166

型号:

BSM150GAL120DN2E3166

品牌:

Siemens

封装:

-

描述:

Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 210A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    7

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Transferred

  • SIEMENS A G

  • FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

  • 1

  • UNSPECIFIED

  • RECTANGULAR

  • FLANGE MOUNT

  • 670 ns

  • 300 ns

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    FAST

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X7

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    GENERAL PURPOSE SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极电流-最大值(IC)

    210 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1200 V

0 类似产品

BSM150GAL120DN2E3166 PDF数据手册