2SK2196
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MTO-3P, 3 PIN
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
FLANGE MOUNT
2
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
150 °C
No
2SK2196
135 ns
RECTANGULAR
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
1
Obsolete
SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO LTD
340 ns
5.88
TO-3P
20 A
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
FET General Purpose Power
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）
240
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
20 A
漏极-源极导通最大电阻
0.35 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
环境耗散-最大值
125 W