![PC849](https://static.esinoelec.com/200dimg/sharpmicroelectronics-pc849-5034.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
16-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
16
50% @ 5mA
4
操作温度
-25°C~100°C
包装
Tube
已出版
1997
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
UL RECOGNIZED
Reach合规守则
unknown
电压-隔离度
5000Vrms
输出电压
35V
输出类型
Transistor
通道数量
4
功率耗散
170mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.2V
输入类型
DC
正向电流
50mA
每个通道的输出电流
50mA
集电极发射器电压(VCEO)
200mV
上升/下降时间(Typ)
4μs 3μs
反向击穿电压
6V
电流传输比(最大)
400% @ 5mA
暗电流(最大)
100nA
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
PC849 PDF数据手册
- 数据表 :