![GP1S74PJ000F](https://static.esinoelec.com/200dimg/sharpmicroelectronics-gp1a073lcs-6420.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Snap in
安装类型
Snap-In
包装/外壳
Module, Connector
引脚数
3
35V
1
操作温度
-25°C~85°C
包装
Tube
已出版
1997
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
类型
Unamplified
端子表面处理
Tin (Sn)
功能数量
1
输出配置
Phototransistor
功率耗散
75mW
输出电流
20mA
正向电流
50mA
回应时间
3μs, 4μs
上升时间
15μs
正向电压
1.2V
下降时间(典型值)
20 μs
集电极发射器电压(VCEO)
35V
最大集电极电流
20mA
感应距离
0.197 (5mm)
反向击穿电压
6V
感测方法
Through-Beam
槽宽-Nom
5mm
通态集电极电流标称
0.5mA
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
GP1S74PJ000F PDF数据手册
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