M470L6524DU0-CB3
-
M470L6524DU0-CB3 pdf数据手册 和 Memory - Modules 产品详情来自 Samsung Semiconductor 库存可在深圳市佳达源电子有限公司
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
200
Compliant
EAR99
No
No
DRAM Module
512Mbyte
8
512M
64
0.7
333
32Mx16
66TSOP-II
2.3
2.5
2.7
1000
0
70
Commercial
Double
No
Dual
2.5
Yes
Socket
31.75
3.8(Max)
67.6
200
USODIMM
No Lead
DIMM, DIMM200,24
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
3
64000000
UNSPECIFIED
DIMM200,24
NOT SPECIFIED
0.7 ns
70 °C
Yes
M470L6524DU0-CB3
166 MHz
67108864 words
2.5 V
DIMM
RECTANGULAR
Samsung Semiconductor
Obsolete
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
5.84
MODULE
零件状态
Obsolete
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
功能数量
1
端子间距
0.6 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
200
JESD-30代码
R-XDMA-N200
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
电源
2.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
1.7 mA
组织结构
64Mx64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.04 A
记忆密度
4294967296 bit
锁相环
No
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM MODULE
刷新周期
8K
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
自我刷新
Yes
模块类型
200USODIMM