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M378B5273DH0-CK0

型号:

M378B5273DH0-CK0

封装:

-

描述:

M378B5273DH0-CK0 pdf数据手册 和 Memory - Modules 产品详情来自 Samsung Semiconductor 库存可在深圳市佳达源电子有限公司

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    240

  • Compliant

  • 4A994.a

  • 8542.32.00.71

  • No

  • No

  • DRAM Module

  • 4Gbyte

  • 16

  • 2G

  • 64

  • 0.225

  • 1600

  • 256Mx8

  • FBGA

  • 1.425

  • 1.5

  • 1.575

  • 920

  • 0

  • 95

  • Double

  • No

  • Dual

  • 8

  • 11

  • Yes

  • Socket

  • 30

  • 4(Max)

  • 133.35

  • 240

  • UDIMM

  • No Lead

  • DIMM, DIMM240,40

  • MICROELECTRONIC ASSEMBLY

  • 512000000

  • UNSPECIFIED

  • DIMM240,40

  • NOT SPECIFIED

  • 20 ns

  • 85 °C

  • Yes

  • M378B5273DH0-CK0

  • 800 MHz

  • 536870912 words

  • 1.5 V

  • DIMM

  • RECTANGULAR

  • Samsung Semiconductor

  • Active

  • SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • 5.56

  • DIMM

  • 无铅代码

    Yes

  • 零件状态

    Active

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.36

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    NO LEAD

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    240

  • JESD-30代码

    R-XDMA-N240

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.575 V

  • 电源

    1.5 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.425 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    1.28 mA

  • 组织结构

    512Mx64

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    30.15 mm

  • 内存宽度

    64

  • 待机电流-最大值

    0.192 A

  • 记忆密度

    34359738368 bit

  • 锁相环

    No

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR DRAM MODULE

  • 刷新周期

    8192

  • 访问模式

    DUAL BANK PAGE BURST

  • 自我刷新

    Yes

  • 模块类型

    240UDIMM

  • 长度

    133.35 mm

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