KLMBG2JETD-B0410
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KLMBG2JETD-B0410 pdf数据手册 和 USB Flash Drives 产品详情来自 Samsung Semiconductor 库存可在深圳市佳达源电子有限公司
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
153
Compliant
3A991.b.1.a
8542.32.00.71
No
No
MLC NAND
256G
Yes
Synchronous
Serial e-MMC
1.7|2.7
1.8|3.3
1.95|3.6
No
No
No
FBGA-153
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
32000000000
PLASTIC/EPOXY
-25 °C
85 °C
KLMBG2JETD-B0410
200 MHz
34359738368 words
1.8 V
VFBGA
RECTANGULAR
Samsung Semiconductor
Active
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
5.79
零件状态
Unconfirmed
类型
MLC NAND TYPE
附加功能
ALSO OPERATES @ 3V SUP NOM
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B153
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
建筑学
Sectored
组织结构
32GX8
座位高度-最大
0.8 mm
内存宽度
8
记忆密度
274877906944 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
1.8 V
引导模块
No
宽度
11.5 mm
长度
13 mm