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M471A1G43DB0-CPB
-
DRAM Module DDR4 SDRAM 8Gbyte 260USODIMM
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
260
EAR99
8473.30.11.40
DRAM Module
8Gbyte
16
4G
64
2133
512Mx8
78FBGA
1.14
1.2
1.26
890
No
Dual
15
USODIMM
Socket
30
69.6
3.7(Max)
260
DIMM, DIMM260,20
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
1000000000
UNSPECIFIED
DIMM260,20
0.18 ns
85 °C
Yes
M471A1G43DB0-CPB
1066 MHz
1073741824 words
1.2 V
DIMM
RECTANGULAR
Samsung Semiconductor
Active
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
5.75
零件状态
Obsolete
附加功能
AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
260
JESD-30代码
R-XDMA-N260
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
1.26 V
电源
1.2 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.14 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
1.31 mA
组织结构
1Gx64
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
30.15 mm
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.12 A
记忆密度
68719476736 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM MODULE
刷新周期
8192
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
模块类型
260USODIMM
宽度
3.7 mm
长度
69.6 mm
RoHS状态
RoHS Compliant
M471A1G43DB0-CPB PDF数据手册
- datasheet.datasheets :