![BR93G66FVT-3BGE2](https://res.utmel.com/Images/category/Integrated Circuits (ICs).png)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
表面安装
YES
供应商器件包装
8-TSSOP-B
终端数量
8
厂商
Rohm Semiconductor
Active
Non-Volatile
BR93G66
3 MHz
+ 85 C
5.5 V
- 40 C
3000
3 mA
1.7 V
SMD/SMT
3-Wire
40 Year
BR93G66FVT-3B
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
Details
TSSOP,
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
256
PLASTIC/EPOXY
-40 °C
NOT SPECIFIED
85 °C
Yes
BR93G66FVT-3BGE2
3 MHz
256 words
5 V
TSSOP
RECTANGULAR
Active
ROHM CO LTD
2.28
系列
-
操作温度
-40°C ~ 105°C (TA)
包装
MouseReel
附加功能
ALSO AVAILABLE 2.5V OPERATES WITH 2MHZ AND 1.7V OPERATES WITH 1MHZ, SEATED HT-CALCULATED
子类别
Memory & Data Storage
电压 - 供电
1.7V ~ 5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G8
工作电源电压
1.7 V to 5.5 V
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
内存大小
4Kbit
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
3 MHz
电源电流-最大值
3 mA
内存格式
EEPROM
内存接口
Microwire
组织结构
256 x 16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
5ms
产品类别
EEPROM
记忆密度
4096 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
EEPROM
串行总线类型
3-WIRE
写入周期时间 - 最大值
5 ms
产品类别
EEPROM
组织的记忆
256 x 16
宽度
3 mm
长度
4.4 mm