![BR25L080F-WE2](https://static.esinoelec.com/200dimg/rohmsemiconductor-br24g01f3gte2-1019.jpg)
BR25L080F-WE2
8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)
IC EEPROM 8K SPI 5MHZ 8SOP
规格参数
- 类型参数全选
触点镀层
Copper, Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN COPPER
电压 - 供电
1.8V~5.5V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
BR25L080
引脚数量
8
资历状况
Not Qualified
工作电源电压
5V
界面
SPI, Serial
内存大小
8Kb 1K x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
5MHz
内存格式
EEPROM
内存接口
SPI
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
5ms
密度
8 kb
待机电流-最大值
0.000002A
串行总线类型
SPI
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
5ms
数据保持时间
40
写入保护
HARDWARE
长度
5mm
座位高度(最大)
1.6mm
宽度
4.4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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BR25L080F-WE2 PDF数据手册
- 数据表 :