![BR25G512FJ-3GE2](https://static.esinoelec.com/200dimg/rohmsemiconductor-br24t04fjwe2-8984.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
9 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Cut Tape (CT)
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
附加功能
SEATED HT-CALCULATED
电压 - 供电
1.8V~5.5V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PDSO-G8
电源电压-最大值(Vsup)
5.5V
电源电压-最小值(Vsup)
1.8V
内存大小
512Kb 64K x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
10MHz
内存格式
EEPROM
内存接口
SPI
组织结构
64KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
5ms
记忆密度
524288 bit
并行/串行
SERIAL
串行总线类型
SPI
写入周期时间 - 最大值
5ms
长度
4.9mm
座位高度(最大)
1.65mm
宽度
3.9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BR25G512FJ-3GE2 PDF数据手册
- 数据表 :