![BU4S11G2](https://res.utmel.com/Images/category/Integrated Circuits (ICs).png)
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
5
Non-Compliant
LSSOP, TSOP5/6,.11,37
SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
1
50 pF
PLASTIC/EPOXY
TSOP5/6,.11,37
-40 °C
10
85 °C
Yes
BU4S11G2
5 V
LSSOP
RECTANGULAR
ROHM Semiconductor
Active
ROHM CO LTD
2
SSOP
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
HTS代码
8542.39.00.01
子类别
Gates
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.95 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
5
JESD-30代码
R-PDSO-G5
输出的数量
1
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
16 V
电源
5/15 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
电路数量
1
最大电源电压
16 V
最小电源电压
3 V
传播延迟
30 ns
家人
4000/14000/40000
逻辑功能
Inverting, NAND
输入数量
2
座位高度-最大
1.25 mm
逻辑IC类型
NAND GATE
施密特触发器
NO
最大结点温度(Tj)
150 °C
环境温度范围高
85 °C
高度
1.25 mm
宽度
1.6 mm
长度
2.9 mm