
NUS3116MTR2G
8-WDFN Exposed Pad
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-WDFN Exposed Pad
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
端子表面处理
MATTE TIN
端子位置
BOTTOM
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
S-XBCC-N8
功能
Power Management
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.4A
漏极-源极导通最大电阻
0.05Ohm
DS 击穿电压-最小值
12V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NUS3116MTR2G PDF数据手册
- 数据表 :