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MMBT5551
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
600mA
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
MATTE TIN
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE
功率 - 最大
350mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
200mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
160V
转换频率
100MHz
频率转换
100MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MMBT5551 PDF数据手册
- 数据表 :