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HIP2100IB
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
Half-Bridge
4V 7V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
端子表面处理
TIN LEAD
电压 - 供电
9V~14V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
电源电压
12V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
COMMERCIAL
输入类型
Non-Inverting
上升/下降时间(Typ)
10ns 10ns
信道型
Independent
驱动器数量
2
接通时间
0.045 µs
输出峰值电流限制-名
2A
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
2A 2A
高边驱动器
YES
关断时间
0.045 µs
高压侧电压-最大值(自举)
114V
长度
4.9mm
座位高度(最大)
1.75mm
宽度
3.9mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
HIP2100IB PDF数据手册
- 数据表 :