DS3170N
100-LBGA, CSBGA
DS3/E3 SINGLE-CHIP TRANSCEIVER
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
100-LBGA, CSBGA
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
1
操作温度
-40°C~85°C
包装
Tray
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
端子表面处理
NICKEL PALLADIUM GOLD
电压 - 供电
3.135V~3.465V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PDSO-G8
功能
Single-Chip Transceiver
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
界面
DS3, E3
电路数量
1
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
电流源
120mA
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6.7A
漏极-源极导通最大电阻
0.026Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
雪崩能量等级(Eas)
360 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
DS3170N PDF数据手册
- 数据表 :