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DS3170N

型号:

DS3170N

封装:

100-LBGA, CSBGA

描述:

DS3/E3 SINGLE-CHIP TRANSCEIVER

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    100-LBGA, CSBGA

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 1

  • 操作温度

    -40°C~85°C

  • 包装

    Tray

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    8

  • 端子表面处理

    NICKEL PALLADIUM GOLD

  • 电压 - 供电

    3.135V~3.465V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 功能

    Single-Chip Transceiver

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 界面

    DS3, E3

  • 电路数量

    1

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 电流源

    120mA

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    6.7A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.026Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    60A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    360 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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