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BUZ21

型号:

BUZ21

封装:

TO-220-3

描述:

100V, N-CHANNEL POWER MOSFET

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 表面安装

    NO

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 21A Tc

  • 1

  • 包装

    Tube

  • 系列

    SIPMOS®

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子表面处理

    TIN LEAD

  • 端子位置

    SINGLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    85m Ω @ 13A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1.3pF @ 25V

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    19A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.1Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    75A

  • DS 击穿电压-最小值

    100V

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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