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规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
21A Tc
1
包装
Tube
系列
SIPMOS®
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
TIN LEAD
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
85m Ω @ 13A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1.3pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)
100V
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
19A
漏极-源极导通最大电阻
0.1Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
75A
DS 击穿电压-最小值
100V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
BUZ21 PDF数据手册
- 数据表 :