2N5639_D26Z
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2N5639_D26Z pdf数据手册 和 Transistors - JFETs 产品详情来自 Rochester Electronics 库存可在深圳市佳达源电子有限公司
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
引脚数
3
30 V
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
350 mW
额定电流
50 mA
元素配置
Single
漏源电压 (Vdss)
30 V
连续放电电流(ID)
25 mA
栅极至源极电压(Vgs)
-30 V
输入电容
10 pF
无铅
Lead Free