![ISL6613AECBZ](https://static.esinoelec.com/200dimg/renesaselectronicsamericainc-isl6613aeibzt-1469.jpg)
ISL6613AECBZ
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad
Half-Bridge
Commercial grade
操作温度
0°C~125°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 供电
10.8V~13.2V
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
ISL6613AE
输入类型
Non-Inverting
上升/下降时间(Typ)
26ns 18ns
信道型
Synchronous
驱动器数量
2
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
1.25A 2A
高压侧电压-最大值(自举)
36V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
ISL6613AECBZ PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :