安装类型

Through Hole

包装/外壳

24-CDIP (0.300", 7.62mm)

表面安装

NO

供应商器件包装

24-CDIP

终端数量

24

厂商

Renesas Electronics America Inc

Tube

Volatile

Last Time Buy

840360

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+ 125 C

5.5 V

- 55 C

15

4.5 V

Through Hole

Parallel

Renesas Electronics

Renesas Electronics

N

DIP, DIP24,.3

IN-LINE

2000

CERAMIC, GLASS-SEALED

DIP24,.3

-55 °C

45 ns

125 °C

8403609LA

2048 words

5 V

DIP

RECTANGULAR

Active

TELEDYNE E2V (UK) LTD

5.27

DIP

Military grade

系列

-

操作温度

-55°C ~ 125°C (TA)

包装

Tube

ECCN 代码

3A001.A.2.C

类型

Asynchronous

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

24

JESD-30代码

R-GDIP-T24

资历状况

Not Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

内存大小

16Kbit

端口的数量

1

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

95 mA

访问时间

45 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

2 k x 8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

45ns

产品类别

SRAM

待机电流-最大值

0.02 A

记忆密度

16384 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

STANDARD SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

产品类别

SRAM

组织的记忆

2K x 8

宽度

7.62 mm

高度

3.56 mm

长度

32.51 mm