![2SC2620QBTR-E](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
1 Week
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Renesas Electronics America Inc
Bulk
Active
MPAK-3
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
20
Yes
940 MHz
2SC2620QBTR-E
RECTANGULAR
Renesas Electronics Corporation
1
Active
RENESAS ELECTRONICS CORP
5.05
系列
*
JESD-609代码
e6
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
0.02 A
集电极-发射器电压-最大值
20 V
最高频段
VERY HIGH FREQUENCY BAND
集电极-基极电容-最大值
1.2 pF