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7202LA25SOI
-
FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 1K x 9 28-Pin SOIC Tube/Tray
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
触点镀层
Lead, Tin
底架
Surface Mount
引脚数
28
终端数量
28
7202LA25SOI
No
Obsolete
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
SOIC
SOIC-28
PE28
5.31
25 ns
28.5 MHz
3
1024 words
1000
85 °C
-40 °C
PLASTIC/EPOXY
SOP
SOP28,.5
RECTANGULAR
SMALL OUTLINE
5 V
NOT SPECIFIED
Compliant
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
RETRANSMIT
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
28
JESD-30代码
R-PDSO-G28
资历状况
Not Qualified
Integrated Device Technology
工作电源电压
5 V
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
最大电源电压
5.5 V
最小电源电压
4.5 V
元素配置
Dual
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.125 mA
组织结构
1KX9
座位高度-最大
3.048 mm
内存宽度
9
待机电流-最大值
0.0005 A
记忆密度
9216 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
OTHER FIFO
总线定向
Unidirectional
重传能力
Yes
FWFT支持
No
可编程标志支持
No
输出启用
NO
周期
35 ns
长度
18.3642 mm
宽度
8.763 mm
器件厚度
2.62 mm
无铅
Contains Lead