表面安装

NO

终端数量

40

DIP,

IN-LINE

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

-55 °C

5 V

4.5 V

125 °C

HS1-80C86RH/PROTO

5 MHz

DIP

RECTANGULAR

Renesas Electronics Corporation

Obsolete

RENESAS ELECTRONICS CORP

5.5 V

5.58

ECCN 代码

3A001.A.2.C

HTS代码

8542.31.00.01

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-CDIP-T40

资历状况

Not Qualified

温度等级

MILITARY

速度

5 MHz

uPs/uCs/外围ICs类型

MICROPROCESSOR

位元大小

16

座位高度-最大

5.72 mm

地址总线宽度

20

边界扫描

NO

低功率模式

YES

外部数据总线宽度

16

格式

FIXED POINT

集成缓存

NO

总剂量

100k Rad(Si) V

宽度

15.24 mm