包装/外壳

QFN-20

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Details

N-Channel

32 V

- 2.7 V

1.8 A

+ 225 C

49 W

SMD/SMT

TGF2979-SMEVB1

Yes

50

TGF2979 1127378

0.004339 oz

包装

Tray

系列

TGF2979

类型

GaN SiC HEMT

工作频率

DC to 12 GHz

配置

Single

通道数量

1 Channel

输出功率

22 W

晶体管类型

HEMT

增益

11 dB

产品

RF JFET Transistor

高度

0.203 mm

长度

4 mm

宽度

3 mm