BGD812
-
RF/Microwave Amplifier, Hybrid,
规格参数
- 类型参数全选
Transferred
PHILIPS SEMICONDUCTORS
100 °C
-20 °C
PLASTIC/EPOXY
SOT-115J
Reach合规守则
unknown
电源
24 V
电源电流-最大值
410 mA
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BGD812 PDF数据手册
- 数据表 :
BGD812
-
RF/Microwave Amplifier, Hybrid,
规格参数
Transferred
PHILIPS SEMICONDUCTORS
100 °C
-20 °C
PLASTIC/EPOXY
SOT-115J
Reach合规守则
unknown
电源
24 V
电源电流-最大值
410 mA
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