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PJU1NA60B_T0_00001

型号:

PJU1NA60B_T0_00001

封装:

-

描述:

Power Field-Effect Transistor,

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Yes

  • End Of Life

  • PAN JIT INTERNATIONAL INC

  • IN-LINE, R-PSIP-T3

  • 1 A

  • 1

  • PLASTIC/EPOXY

  • RECTANGULAR

  • IN-LINE

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-251AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    10 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    600 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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