BC857BW_R1_10001
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Bipolar Transistors - BJT 57B/TR/7/RoHS/3K/SOT-323/TRA/SOT/GPT-02TAP/GPT02-QI11/PJ///
规格参数
- 类型参数全选
+ 250 C
7.054792 oz
- 25 C
10
Chassis Mount
2176248-9
TE Connectivity
TE Connectivity / Holsworthy
Details
系列
TJT
包装
Bulk
容差
5 %
温度系数
260 PPM / C
电阻
22 Ohms
子类别
Resistors
额定功率
250 W
技术
Wirewound
终端样式
Wire Lead
产品类别
Wirewound Resistors
工作温度范围
- 25 C to + 250 C
特征
Aluminum Housed Resistors
产品类别
Wirewound Resistors - Chassis Mount
宽度
80 mm
高度
10 mm
长度
180 mm