DMG264H00R
SOT-23-6
Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
50V
100mA 500mA
2
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 1
HTS代码
8541.21.00.95
最大功率耗散
300mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
DMG264H0
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
250mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
80 @ 5mA 10V / 50 @ 100mA 10V
最大集极截止电流
500nA 1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
250mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA
最大击穿电压
50V
电阻基(R1)
47k Ω, 4.7k Ω
连续集电极电流
-500mA
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω, 4.7k Ω
RoHS状态
RoHS Compliant
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