DMG204B10R
SOT-23-6
Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
50V
500mA 100mA
2
210
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.75
最大功率耗散
300mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
DMG204
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
150MHz
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
400mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
200 @ 500mA 2V / 210 @ 2mA 10V
最大集极截止电流
100μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
400mV @ 20mA, 500mA / 500mV @ 10mA, 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
20V 50V
转换频率
150MHz
最大击穿电压
50V
集电极基极电压(VCBO)
25V
发射极基极电压 (VEBO)
12V
高度
1.1mm
长度
2.9mm
宽度
1.5mm
RoHS状态
RoHS Compliant
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DMG204B10R PDF数据手册
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