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DA2JF8100L

型号:

DA2JF8100L

封装:

SC-90, SOD-323F

数据表:

DA2JF8100L

描述:

DIODE GEN PURP 800V 200MA SMINI2

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SC-90, SOD-323F

  • 引脚数

    2

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 1

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2010

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • 应用

    FAST RECOVERY

  • HTS代码

    8541.10.00.70

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 基本部件号

    DA2JF81

  • 元素配置

    Single

  • 速度

    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

  • 二极管类型

    Standard

  • 反向泄漏电流@ Vr

    10μA @ 800V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    2.5V @ 200mA

  • 正向电流

    200mA

  • 工作温度 - 结点

    -40°C~150°C

  • 最大浪涌电流

    1A

  • 平均整流电流(Io)

    200mA DC

  • 正向电压

    2.5V

  • 最大反向电压(DC)

    800V

  • 平均整流电流

    200mA

  • 相位的数量

    1

  • 反向恢复时间

    45 ns

  • 峰值反向电流

    10μA

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    800V

  • 电容@Vr, F

    0.6pF @ 0V 1MHz

  • 峰值非恢复性浪涌电流

    1A

  • 反向电压

    800V

  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)

    1A

  • 恢复时间

    45 ns

  • 高度

    700μm

  • 长度

    1.7mm

  • 宽度

    1.25mm

  • 达到SVHC

    Unknown

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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