
NID9N05CLT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH CLAMP 9A 52V DPAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 3 days ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
1
2.5 μs
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
90MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
ESD PROTECTED
电压 - 额定直流
52V
最大功率耗散
28.8W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
9A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NID9N05CL
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
输出的数量
1
输出类型
N-Channel
最大输出电流
9A
界面
On/Off
元素配置
Single
输出配置
Low Side
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
28.8W
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
Not Required
箱体转运
DRAIN
输入类型
Non-Inverting
开关类型
Relay, Solenoid Driver
箝位电压
59V
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
500ns
漏源电压 (Vdss)
52V
下降时间(典型值)
1.8 μs
连续放电电流(ID)
9A
阈值电压
1.75V
比率-输入:输出
1:1
栅极至源极电压(Vgs)
15V
电压-负荷
52V Max
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9A
故障保护
Over Voltage
漏源击穿电压
52V
双电源电压
52V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rds On(Typ)
90m Ω
漏源电阻
90mOhm
栅源电压
1.75 V
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
NID9N05CLT4G PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- 到达声明 :